"Semiconductor Surfaces and Interfaces" behandelt die strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Halbleiteroberflächen und Interfaces. Da es auf dem Gebiet in den letzten Jahren ganz wesentliche Erfolge gab, behandelt die vorliegende Monographie den Stand der entsprechenden Halöbleiterphysik und -technologie konkurrenzlos auf dem neuesten Stand.

1. Introduction

2. Surface Space-Charge Region in Thermal Equilibrium
3. Surface States
4. Occupation of Surface States and Surface Band-Bending in Thermal Equilibrium
5. Surface S pace-Charge Region in Non-Equilibrium
6. Interface States
7. Cleaved {110} Surfaces of III-V and II-VI Compound Semiconductors
8. {100} Surfaces of III-V, II-VI, and I-VII Compound Semiconductors with Zincblende Structure
9. {100} Surfaces of Diamond, Silicon, Germanium, and Cubic Silicon Carbide
10. Diamond, Silicon, and Germanium {111}-2 × 1 Surfaces
11. Si(111)-7 × 7 and Ge(111)-c(2 × 8) Surfaces
12. Phase Transitions on Silicon and Germanium {111} Surfaces
13. {111} Surfaces of Compounds with Zincblende Structure
14. Monovalent Adatoms
15. Group-III Adatoms on Silicon Surfaces
16. Group-V Adatoms
17. Oxidation of Silicon and III-V Compound Semiconductors
18. Surface Passivation by Adsorbates and Surfactants
19. Semiconductor Interfaces
References
Index of Reconstructions and Adsorbates.